氧等离子体表面处理对ITO薄膜的影响

• 作者: 刘德明 刘陈 朱光喜
• 来源期刊: 华中科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 铟锡氧化物(ITO) 氧等离子体处理 原子力显微镜 有机发光二极管
• 年，卷（期）: 2007,（7）
• 页码范围: 42-44
• 页数: 3页
• 分类号: TN383
• 字数: 1904字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1671-4512.2007.07.012

摘要

利用原子力显微镜检测ITO薄膜的微观表面形貌以及微观区域电性能,研究氧等离子体处理对ITO薄膜的表面形貌及导电性能的影响,从微观上探讨氧等离子体处理对ITO薄膜的影响.经过氧等离子体处理,ITO薄膜的平均粗糙度从4.6nm减小到2.5nm,薄膜的平整度得到提高;但氧等离子体处理之后,ITO薄膜的导电性能大大下降,原因在于ITO薄膜表面被进一步氧化使得ITO薄膜表面的氧空位减少.上述结果从微观上解释了氧等离子体处理能够改善有机发光二极管光电性能的原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘德明	华中科技大学光电子科学与工程学院	236	1645	17.0	27.0
2	朱光喜	华中科技大学电子与信息工程系	420	2897	22.0	35.0
3	刘陈	华中科技大学电子与信息工程系	27	371	10.0	18.0