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IBM将率先进入22nm工艺时代
IBM将率先进入22nm工艺时代
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摘要：
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具有应变沟道及EOT 1.2nm高性能栅长22nm CMOS器件
应变硅沟道
压应力
Ge预非晶化注入
等效氧化层厚度
栅长
CMOS
山西太原将率先步入三网融合时代
三网融合
山西省
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期刊影响力
高性能计算技术
主办单位：
中国人民解放军总参第五十六研究所
出版周期：
双月刊
ISSN：
CN：
32-1679/TP
开本：
出版地：
江苏省无锡33信箱353号
邮发代号：
创刊时间：
语种：
chi
出版文献量（篇）
1235
总下载数（次）
12
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