单壁碳纳米管场发射尖端电势模拟计算

• 作者: 刘嘉慧 宋开颜 武鹤楠 王帅 郭连权 韩东 马贺
• 来源期刊: 沈阳工业大学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 单壁碳纳米管 场发射 电势 模拟 计算
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 材料科学与工程
• 页码范围: 429-432
• 页数: 4页
• 分类号: O73|O799
• 字数: 2516字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-1646.2008.04.015

摘要

以Maxwell电磁场理论为基础,对金属型单壁碳纳米管场发射阴极尖端附近的电势进行了模拟计算,发现在碳纳米管尖端附近,随着径向距离和轴向距离的增加,电势迅速增加;而离碳纳米管尖端较远的区域,随着径向距离和轴向距离的增加.电势增加缓慢直至为常数(即无碳纳米管时的背景场电势).说明了碳纳米管产生的激发场为极强的小范围的局域场.该结果为单壁碳纳米管做场发射材料提供了有益的理论参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭连权	沈阳工业大学理学院	25	134	7.0	10.0
2	刘嘉慧	沈阳工业大学理学院	11	39	4.0	6.0
3	马贺	沈阳工业大学理学院	19	73	5.0	7.0
4	宋开颜	沈阳工业大学理学院	8	30	3.0	5.0
5	武鹤楠	沈阳工业大学理学院	6	26	2.0	5.0
6	王帅	沈阳工业大学理学院	22	58	5.0	7.0
7	韩东	沈阳工业大学理学院	5	18	2.0	4.0