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摘要:
利用等离子体理论研究了电路中微波等离子体运动对电容元件的影响,给出了可能引起电路扰乱状态的参量条件.当微波等离子体较稀薄?且微波的频率或等离子体电子的渡越时间高到一定程度时,扰乱阈值与微波频率的平方成正比;如果微波的频率或等离子体电子的渡越时间低到一定程度时,其电场的特性接近直流特性,扰乱阈值与微波频率没有明显的依赖关系.从总体上看,微波频率越低,越容易扰乱集成电路的工作状态.如果等离子体频率与高功率微波频率相接近,则会产生共振效应,此时等离子体电子的振荡的幅值会大幅度提高,更容易扰乱电路的工作状态.
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文献信息
篇名 高功率微波与电子系统电路单元相互作用的理论分析
来源期刊 中国物理C(英文版) 学科 物理学
关键词 高功率微波 等离子体 电子系统 扰乱阈值
年,卷(期) 2008,(z1) 所属期刊栏目 高频、微波、超导
研究方向 页码范围 184-186
页数 3页 分类号 O4
字数 1931字 语种 英文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 钱宝良 国防科学技术大学光电科学与工程学院 76 386 10.0 13.0
2 杨一明 国防科学技术大学光电科学与工程学院 14 50 4.0 6.0
3 朱占平 国防科学技术大学光电科学与工程学院 7 44 5.0 6.0
4 曾继来 国防科学技术大学光电科学与工程学院 1 2 1.0 1.0
传播情况
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2010(2)
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研究主题发展历程
节点文献
高功率微波
等离子体
电子系统
扰乱阈值
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
中国物理C(英文版)
月刊
1674-1137
11-5641/O4
北京市玉泉路19号(乙)中国科学院高能物理研究所内 北京918信箱
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出版文献量(篇)
3629
总下载数(次)
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总被引数(次)
2764
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