毫米波单片有源混频器的研制

• 作者: 严蘋蘋 洪伟 陈继新
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 混频器 砷化镓 毫米波 变频增益 隔离度
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 页码范围: 333-336
• 页数: 4页
• 分类号: TN773.4
• 字数: 2863字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9014.2008.05.004

摘要

采用OMMIC 0.18μm GaAs pHEMT工艺,研制了毫米波单片有源混频器.该混频器选用单栅极单端FET混频结构.在中频输出端设计了低通滤波器,以提高LO-IF、RF-IF的隔离度.芯片的尺寸仅为0.95mm×1.85mm.在射频频率为39GHz、输出中频频率为3GHz时,该混频器的变频增益为0.6dB,LO-IF隔离度大于55dB,RF-IF的隔离度大于30dB.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	严蘋蘋		1	10	1.0	1.0
2	洪伟		4	54	4.0	4.0
3	陈继新		1	10	1.0	1.0