紧凑结构的宽带毫米波单片IQ混频器的设计

• 作者: 徐雷钧 李伟 李芹
• 来源期刊: 高技术通讯
• 关键词: IQ混频器 耦合器 巴伦 变频损耗 镜像抑制度 单片电路
• 年，卷（期）: 2012,（12）
• 所属期刊栏目: 先进制造与自动化技术
• 页码范围: 1299-1303
• 页数: 5页
• 字数: 2699字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3772/j.issn.1002-0470.2012.12.013

摘要

采用0.15μm砷化镓赝晶高迁移率场效应管工艺设计了一种结构紧凑的26～40GHz的毫米波无源单片电路IQ混频器.该混频器采用环形二极管和新颖的中频提取电路结构,并把螺旋型Marchand巴伦(平衡-不平衡变换器)用于本振端和射频端,将单端信号转换成差分信号,极大地缩小了芯片的面积,整块芯片面积为1.5mm×1.35mm.芯片在片测试结果表明混频器性能良好,变频损耗在26～40 GHz射频频带范围内为-6.5～-13dB,中频带宽为DC ～ 6GHz,镜像抑制度(IMRR)在18～26dB之间,本振到射频的隔离度大于23dB,本振到中频的隔离度大于29dB,射频到中频的隔离度大于26dB.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李伟	东南大学射频和光电集成电路研究所	135	939	14.0	23.0
2	李芹	东南大学射频和光电集成电路研究所	10	76	6.0	8.0
3	徐雷钧	东南大学射频和光电集成电路研究所	5	17	2.0	4.0