提高压电微探针表面信息读取电荷灵敏度的方法

• 作者: 吴亚雷 吴绍勇 褚家如 许晓慧 赵钢
• 来源期刊: 纳米技术与精密工程
• 学科: 工学
• 关键词: 超高密度信息存储 压电薄膜 电荷灵敏度 等效横向压电系数
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 纳米技术
• 页码范围: 249-253
• 页数: 5页
• 分类号: TN384
• 字数: 3234字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-6030.2008.04.003

摘要

分析了基于原子力显微镜(AFM)探针阵列的超高密度信息存储中压电方式读取纳米数据坑的电荷灵敏度,从探针结构设计的角度指出通过改进上电极钝化层的设计可以使电荷灵敏度提高约 50%;在读取电路中引入直流偏置电压,通过提高锆钛酸铅(PZT)薄膜的等效横向压电系数 d31 进一步提高电荷灵敏度.利用硅片悬臂梁上溶胶.凝胶法制备的PzT薄膜,基于正压电效应实验验证了施加直流偏置电压对d31的提高作用.直流偏压从0 V增加到10 V时,等效横向压电系数d31从-48 pC/N提高到-120 pC/N.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	褚家如	中国科学技术大学精密机械与精密仪器系	76	566	14.0	19.0
2	赵钢	中国科学技术大学精密机械与精密仪器系	28	121	7.0	9.0
3	吴亚雷	中国科学技术大学精密机械与精密仪器系	12	53	5.0	6.0
4	许晓慧	中国科学技术大学精密机械与精密仪器系	13	75	6.0	8.0
5	吴绍勇	中国科学技术大学精密机械与精密仪器系	4	20	2.0	4.0