中子三轴谱仪输入谱模拟与优化计算

• 作者: 宋建明 阳剑 陈波 黄朝强
• 来源期刊: 核电子学与探测技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 蒙特卡罗 中子谱 冷中子源 三轴谱仪
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 页码范围: 1149-1155
• 页数: 7页
• 分类号: O571.56
• 字数: 2748字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-0934.2008.06.025

摘要

根据冷中子源及其后续中子导管的布局与参数,采用蒙特卡罗方法模拟计算了中子三轴谱仪的输入谱,获得了中子束均匀性、发散度及注量率等参数.模拟结果表明:冷源与导管入口间距离L不宜小于0.1m,在距离为0.5m时导管出口处注量率达到最大3.96×106 cm-2 s-1;中子注量率及发散度均随导管超镜因子m增大而增大,m值由1.5增大到3后,其水平方向的发散度几乎不变,垂直方向最大发散度增大约87.7%,注量率增大25%;垂直方向和水平方向的发散均可以用高斯分布来描述,但水平方向的发散伴有离散峰;在m为1.5,L为2m情况下,束流水平和垂直方向的最大发散度分别为0.85°和0.81°,中子注量率为2.86×108cm-2s-1;得到了针对三轴谱仪的导管优化参数.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宋建明	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	12	21	2.0	4.0
2	黄朝强	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	36	52	4.0	5.0
3	阳剑	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	10	11	2.0	2.0
4	陈波	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	97	475	12.0	18.0