U型坩埚内碘化铅熔体中的气泡分析

• 作者: 李丽霞 贺毅 赵欣 金应荣
• 来源期刊: 西华大学学报（自然科学版）
• 学科: 化学
• 关键词: 碘化铅单品体 上升法 U型坩埚 气泡
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 材料与成型技术
• 页码范围: 56-57,68
• 页数: 3页
• 分类号: O642.4|O1782
• 字数: 2677字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-159X.2008.03.019

摘要

U型坩埚上升法足生长碘化铅单晶体的一种新方法,它不能自动排除熔体中可能产生的气泡.本文结合已有的实验数据,分析了熔体温度、熔体富碘最对气泡形核临界半径的影响.结果表明:随着熔体温度升高或熔体富碘量增加,气泡长大的临界半径减小.熔体温度低于773K时,气泡长大的临界半径在0.11μm以上,且晶锭中没有气泡.这为优化晶体生长工艺奠定了理论基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	金应荣	西华大学材料科学与工程学院	59	141	5.0	7.0
2	贺毅	西华大学材料科学与工程学院	28	114	6.0	9.0
4	赵欣	四川大学材料科学与工程学院	31	111	5.0	10.0
5	李丽霞	西华大学材料科学与工程学院	3	6	1.0	2.0