GeSi/Si共振隧穿二极管

• 作者: 郭维廉
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: GeSi/Si共振隧穿二极管 GeSi/Si异质结 GeSi/Si带间共振隧穿二极管 能带结构 材料结构
• 年，卷（期）: 2008,（11）
• 所属期刊栏目: 纳米器件与技术
• 页码范围: 627-634
• 页数: 8页
• 分类号: TN304.24|TN312.2
• 字数: 4529字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2008.11.002

摘要

GeSi/Si共振隧穿二极管主要包括空穴型GeSi/Si RTD、应力型GeSi/Si RTD和GeSi/Si带间共振隧穿二极管三种结构.着重讨论了后两种GeSi/Si基RTD结构;指出GeSi/Si异质结的能带偏差主要发生在二者价带之间(即△Ev＞△Ec),形成的电子势阱很浅,因此适用于空穴型RTD的研制;n型带内RTD只有通过应力Si或应力GeSi来实现,这种应力型RTD为带内RTD的主要结构;而带间GeSi/Si RITD则将成为更有应用前景的、性能较好的GeSi/Si RTD器件结构.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭维廉	天津工业大学信息与通讯学院	145	419	10.0	12.0