密度泛函方法研究NiSin(n=1～13)团簇

• 作者: 井群 孙素梅 张俊 罗有华 赵高峰
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 化学
• 关键词: NiSin团簇 稳定结构 电子性质 磁矩
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 551-558
• 页数: 8页
• 分类号: O641
• 字数: 4821字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2008.03.016

摘要

基于第一性原理,利用密度泛函理论中的广义梯度近似(GGA)系统研究了NiSin(n=1～13)团簇,在充分考虑自旋多重度的基础上讨论了这些团簇的生长行为,电子性质及其磁性,结果表明:NiSin+1的基态结构是在NiSin的基态结构上带帽一个Si原子而得到;随着团簇尺寸的增大,Ni原子逐渐从吸附在sin团簇的表面位置移动到Sin团簇笼内;掺杂Ni原子提高了硅团簇的稳定性;NiSi10团簇的稳定性在所有团簇中是最高的;电子总是从si向Ni转移,Ni原子所带的电荷数不仅与Ni原子的配位数有关,还与Nisin团簇的基态结构密切相关;n=1～2时,团簇的自旋总磁矩为2 μB,当n≥3时,团簇的磁性消失,这可能与Ni原子内部较强的sp-d杂化以及si原子内部的s-p杂化有关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗有华	河南大学物理与电子学院理论物理研究所	32	189	8.0	11.0
5	赵高峰	河南大学物理与电子学院理论物理研究所	32	84	5.0	7.0
6	张俊	河南大学物理与电子学院理论物理研究所	6	26	3.0	5.0
7	孙素梅		12	82	3.0	9.0
8	井群	河南大学物理与电子学院理论物理研究所	6	42	4.0	6.0