金属-二氧化硅-半导体(MOS)结构的电子辐照效应

• 作者: 刘俊星 张建新 李洪武
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 工学
• 关键词: MOS结构 电子辐照 界面态密度 氧化层电荷
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 234-237
• 页数: 4页
• 分类号: TN315+.2
• 字数: 2781字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2008.04.013

摘要

金属.二氧化硅-半导体(MOS)结构对于SiO2-Si界面非常敏感,能够方便地反映出氧化层电荷、界面态密度等参数.为了研究MOS结构的电子辐照效应,采取了能量为0.8 MeV,辐照剂量范围为2×1013～1×1014cm-2屯的电子束作为辐照源.实验发现,MOS结构经电子辐照后,在SiO2-Si界面处引入界面态,并且在二氧化硅内部积累正电荷.通过对MOS结构在电子辐照前后高、低频C-V曲线的测试,测试出辐照在氧化层引入的界面态密度达到了1014cm-2eV-1,而积累的正电荷面密度达到了10-2cm-2.同时得到了界面态密度和积累电荷密度与辐照剂量的关系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘俊星	嘉兴学院机电工程学院	13	12	3.0	3.0
2	张建新	嘉兴学院机电工程学院	24	23	3.0	3.0
3	李洪武	嘉兴学院机电工程学院	3	6	1.0	2.0