纳米异向介质的缺陷模

• 作者: 冯宇 吴健 宋建平 杨华 潘艳 钱兴中
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米负折射指数物质 缺陷模 通带 光刻精度
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 显示材料
• 页码范围: 246-248
• 页数: 3页
• 分类号: TN405
• 字数: 672字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2008.01.058

摘要

在实际 THz 负折射指数物质应用中,形状的改变和现有的光刻技术的精度,对负折射特性造成什么影响研究在实际工程设计中具有重要意义.下面利用有限积分法模拟形状变化和光刻精度产生的缺陷对负折射谐振频率和通带的影响.得出由于谐振环之间的耦合,SRR 对称破缺影响谐振频率和通带.光刻技术的精度满足 THz 负折射指数物质的要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宋建平	西安交通大学电子科学系	57	877	17.0	27.0
2	杨华	信息工程大学理学院	19	20	3.0	4.0
3	钱兴中	信息工程大学理学院	6	8	1.0	2.0
4	冯宇	信息工程大学理学院	21	105	7.0	10.0
6	吴健	中国电波传播研究所电波环境及模化技术国家重点实验室	74	587	14.0	20.0
9	潘艳	信息工程大学理学院	1	0	0.0	0.0