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摘要:
除了直流负电压外,还在浅法刻蚀出的GaAs/AlGaAs量子线上的两个金属指形门上分别叠加两个相位相差π的正弦信号,从而对形成量子点的两个势垒作不等幅调制.在无源漏偏压的情况下,通过周期形成的量子点实现了单电子的搬运.由于新的半导体量子点单电子泵不是依赖库仑阻塞效应通过隧穿进行单电子输运,因此,该器件就不会受到固定隧穿时间引起的低工作频率限制.在1.7 K温度下,频率达到3 GHz仍然可以观测到量子化电流平台.对应的电流值达到0.5 nA量级.这种新器件提供了实现高速度、高精度搬运单电子的另一种可能途径.
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文献信息
篇名 一种新型的高频半导体量子点单电子泵
来源期刊 物理学报 学科 物理学
关键词 单电子输运 单电子旋转门 单电子泵 量子化电流平台
年,卷(期) 2008,(3) 所属期刊栏目 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
研究方向 页码范围 1878-1885
页数 8页 分类号 O4
字数 7532字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.03.097
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研究主题发展历程
节点文献
单电子输运
单电子旋转门
单电子泵
量子化电流平台
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
物理学报
半月刊
1000-3290
11-1958/O4
大16开
北京603信箱
2-425
1933
chi
出版文献量(篇)
23474
总下载数(次)
35
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相关基金
国家科技支撑计划
英文译名:
官方网址:http://kjzc.jhgl.org/
项目类型:重大项目
学科类型:能源
国家自然科学基金
英文译名:the National Natural Science Foundation of China
官方网址:http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:数理科学
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