InGaAs/InAlAs雪崩光电二极管仿真设计

• 作者: 吴孟 曹延名 杨富华
• 来源期刊: 激光与光电子学进展
• 学科: 工学
• 关键词: 单光子探测器 雩崩光电二极管 双层掺杂埋层结构 MEDICI软件
• 年，卷（期）: 2008,（9）
• 所属期刊栏目: 光电器件
• 页码范围: 56-60
• 页数: 5页
• 分类号: TN312
• 字数: 3435字
• 语种: 中文

摘要

设计了一种InGaAs/InALAs雪崩光电二极管(APD),并利用MEDICI软件进行了模拟仿真.器件采用背入射探测方式.雪崩增益区采用埋层设汁,省略了保护环等结构;并使用双层掺杂,有效降低了增益区电场的梯度变化.由于结构简单,因此仪需要利用分子束外延(MBE)生长精确控制每层结构即可.由于InAlAs材料的空穴与电子的离化率有较大的筹异,因此器件具有较低的噪声因子.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨富华	中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室	49	227	9.0	14.0
2	曹延名	中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室	2	11	2.0	2.0
3	吴孟	中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室	3	12	2.0	3.0