大功率InGaAsP/GaAs量子阱半导体激光器的直流和1/f噪声性质

• 作者: Cao Junsheng Gao Fengli Zhang Shuang 于思瑶 郭树旭 郭欣
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 工学
• 关键词: 激光器 半导体激光器 可靠性 1/f噪声 直流特性 电流泄漏
• 年，卷（期）: 2008,（8）
• 所属期刊栏目: 实验技术与元件
• 页码范围: 1144-1148
• 页数: 5页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 2564字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0258-7025.2008.08.004

摘要

对大功率InGaAsP/GaAs量子阱(QW)半导体激光器(LD)的直流(DC)特性和小注入下的低频噪声(LFN)特性进行了实验研究.DC检测发现,V-J和I dV/dI-I可以对LD的电流泄漏作出判断.LFN检测发现,小注入下的1/f低频电压噪声幅值Bv(I)∝I<'βv>.理论分析和老化实验均表明,电流指数βv与载流子输运和电流泄漏机制之间有很好的相关性,存在电流泄漏和无辐射复合的器件其|βv|较小,可靠性较差.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭树旭	吉林大学物理科学学院	128	882	16.0	22.0
2	于思瑶	吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室	10	26	3.0	4.0
3	郭欣	吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室	27	165	5.0	12.0
4	Zhang Shuang	吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室	1	5	1.0	1.0
5	Gao Fengli	吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室	1	5	1.0	1.0
6	Cao Junsheng	吉林大学物理科学学院	1	5	1.0	1.0