应用于超薄栅氧化CMOS器件的两种电荷泵改进技术的比较

• 作者: 王庆学
• 来源期刊: 功能材料与器件学报
• 学科: 工学
• 关键词: 电荷泵 超薄栅氧化 CMOS HLMF ABTP
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 656-662
• 页数: 7页
• 分类号: TN386.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-4252.2008.03.018

摘要

本文提出了High-low multi-frequency(HLMF)和Average bottom-top-pulse(ABTP)两种电荷泵改进技术,用于提高表征超薄栅氧化CMOS器件界面缺陷的精度.结果表明,在电荷泵技术测量过程中,这两种改进技术能非常有效地扣除漏电流.同时,也分析了电荷泵电流曲线的几个典型特性.由于ABTP技术是用静态模式测量漏电流,所以,在大的负Vbase端,电荷泵电流曲线的尾部出现大的波动.通过比较,我们发现HLMF具有更高的精度,可以作为用于提升表征超薄栅氧化CMOS器件界面缺陷精度的一种重要技术.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王庆学	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	14	65	5.0	7.0