0.18μm NMOSFETS的衬底偏压增强电子注入的电荷泵技术

• 作者: 王庆学
• 来源期刊: 功能材料与器件学报
• 学科: 工学
• 关键词: SEEI 界面缺陷 电荷泵
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 简报
• 页码范围: 702-706
• 页数: 5页
• 分类号: TN386.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-4252.2008.03.026

摘要

分别研究了0.18μm NMOSFETS的传统漏雪崩热载流子(DAHC)和衬底偏压增强电子注入(SEEI)的退化机制.结果表明,在这两个偏置条件下,界面缺陷的产生均是导致热载流子诱导器件性能退化的主导因素.界面缺陷诱导的反型层电子迁移率下降是导致先进深亚微米NMOSFETS电学特性退化的根本原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王庆学	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	14	65	5.0	7.0