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V2+在ZnS中光谱的理论计算
V2+在ZnS中光谱的理论计算
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摘要：
用分子轨道理论推导了3d3离子在立方晶体场中的哈密顿矩阵,并计算了V2+在ZnS中的吸收光谱.与其他近似方法相比较,该计算结果与实验符合得好,表明V2+在ZnS中,共价因素和Racah参量A的贡献是很大的.理论计算出的一条近红外谱线有待实验的进一步检验.
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文献信息
| 篇名 | V2+在ZnS中光谱的理论计算 | ||
| 来源期刊 | 四川师范大学学报（自然科学版） | 学科 | 物理学 |
| 关键词 | 半磁半导体 吸收光谱 V2+离子 ZnS | ||
| 年，卷（期） | 2008,（2） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 211-214 | |
| 页数 | 4页 | 分类号 | O433.5|O482.3 |
| 字数 | 2724字 | 语种 | 中文 |
| DOI | 10.3969/j.issn.1001-8395.2008.02.022 | ||
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研究主题发展历程
节点文献
半磁半导体
吸收光谱
V2+离子
ZnS
研究起点
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研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
四川师范大学学报(自然科学版)
主办单位：
四川师范大学(中国
成都)
出版周期：
双月刊
ISSN：
1001-8395
CN：
51-1295/N
开本：
大16开
出版地：
成都市静安路5号
邮发代号：
创刊时间：
1978
语种：
chi
出版文献量（篇）
3968
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9
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