超快大功率SiC光导开关的研究

• 作者: 严成锋 施尔畏 李祥彪 肖兵 陈之战
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 钒掺杂 半绝缘 光导开关
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 425-428
• 页数: 4页
• 分类号: TN305
• 字数: 2041字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.2008.03.002

摘要

选用钒掺杂浓度为0.2at%的高质量6H-SiC晶体,电阻率为7.0x108>Ω·cm,研制出超快大功率SiC光导开关.在脉冲宽度为20ns的光源激发下,分别测试了在不同的偏置电压和光能条件下开关的电脉冲输出特性.结果表明:1mm电极间隙的SiC开关器件的性能优越,耐偏压高,光导电脉冲的上升时间快(6.8ns),脉宽<20ns,稳定性好.负载为40Ω的电阻上输出线性电脉冲电压随开关的偏置电压和光强增大而增大,在2.5kV的偏置电压下,最大瞬时电流约为57.5A,瞬时功率高达132kW.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	施尔畏	中国科学院上海硅酸盐研究所	71	1736	25.0	41.0
2	严成锋	中国科学院上海硅酸盐研究所	11	73	5.0	8.0
3	陈之战	中国科学院上海硅酸盐研究所	23	556	13.0	23.0
4	肖兵	中国科学院上海硅酸盐研究所	11	152	8.0	11.0
5	李祥彪	中国科学院上海硅酸盐研究所	1	29	1.0	1.0