等离子体处理对GaN发光二极管性能影响

• 作者: 刘建平 朱彦旭 梁庭 沈光地 牛南辉 达小丽 邹德恕 郭霞
• 来源期刊: 北京工业大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 光电子 半导体材料 发光二极管
• 年，卷（期）: 2008,（7）
• 所属期刊栏目: 电子信息与控制工程
• 页码范围: 682-687
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 3161字
• 语种: 中文

摘要

为了研究等离子体处理对ICP刻蚀损伤的恢复效果,将多个样品放置于不同温度的等离子体增强化学气相沉积样品台上,通过改变射频源功率,分别使用N2、N20和NH3等离子体对GaN发光二极管进行处理.研究结果表明,在100℃、20W的射频功率条件下,用N20等离子体处理GaN发光二极管可以极大地改善器件的光电特性;用N2等离子体处理GaN发光二极管可以使器件的光电特性得到微弱改善;但是使用NH3等离子体处理GaN发光二极管,会使其光电特性明显恶化.