Microsemi宣布推出新的Power MOS8穿通型IGBT系列

• 来源期刊: 电源世界
• 学科: 工学
• 关键词: POWER 穿通型 绝缘栅双极型晶体管 混合信号集成电路 半导体器件 性能模拟 电池充电器 高可靠性
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 页码范围: 16
• 页数: 1页
• 分类号: TN364.3

摘要

领先的、高性能模拟和混合信号集成电路和高可靠性半导体器件制造商Microsemi日前宣布，推出新的高速Power MOS8（r）绝缘栅双极型晶体管（IGBT）系列，该系列器件产品采用穿通工艺技术，电压为600V和900V。非常适用于太阳能逆变器、高性能SMPS以及诸如电焊机、电池充电器和感应加热之类的工业设备。