P/I界面处理对a-Si:H柔性太阳能电池性能的影响

• 作者: 季峰 徐火希 徐静平 王晓晶 雷青松
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: p型微晶硅 界面处理 柔性太阳能电池
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 页码范围: 1187-1190
• 页数: 4页
• 分类号: O78
• 字数: 2072字
• 语种: 中文

摘要

采用等离子体辅助化学汽相沉积(PECVD)技术制备本征非晶硅薄膜,对p/i界面进行处理.在此基础上,制备P型微晶硅(μc-Si:H)薄膜与柔性太阳能电池.对P型硅薄膜及太阳能电池的性能进行研究.结果表明:对p/i界面采用H等离子体处理,再引入一定厚度的成核层,可以成功得到高电导率的P型微晶硅窗口层,提高柔性太阳能电池的光伏特性.其中的成核层,不仅促进微晶相P层的生长,还可以起到界面缓冲层的作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐静平	华中科技大学电子科学与技术系	88	358	9.0	13.0
2	季峰	华中科技大学电子科学与技术系	9	34	4.0	5.0
3	雷青松	华中科技大学电子科学与技术系	12	56	5.0	6.0
4	王晓晶	华中科技大学电子科学与技术系	14	109	5.0	10.0
5	徐火希	华中科技大学电子科学与技术系	1	4	1.0	1.0