Flash Memory测试技术发展

• 作者: 朱思奇 郭桂良 阎跃鹏
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 闪存 测试 自建测试 错误模型 march
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 纳米固态及真空电子器件
• 页码范围: 1130-1133
• 页数: 4页
• 分类号: TN407
• 字数: 3999字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2008.04.015

摘要

从Flash memory 测试技术的发展背景出发,论述了flash memory测试技术的发展现状以及前景.同时重点对Flash-march算法和BF&D算法进行了分析和评价.指出Flash memory的发展是以测试技术的发展为基础的,必须把Flash memory本身的发展和测试技术的发展综合考虑,才能有助于两者的协调发展.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	阎跃鹏	中国科学院微电子研究所	101	427	9.0	13.0
2	郭桂良	中国科学院微电子研究所	37	106	6.0	7.0
3	朱思奇	中国科学院微电子研究所	8	20	3.0	4.0