掺硼锯齿型单壁碳纳米管的电子结构

• 作者: 刘红霞 宋久旭 杨银堂 石立春
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 掺硼 电子结构 单壁碳纳米管 第一性原理
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 纳米,固态及真空电子器件
• 页码范围: 1529-1532
• 页数: 4页
• 分类号: TN302
• 字数: 2696字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2008.05.031

摘要

为了研究掺硼碳纳米管的电子结构,对可能存在掺杂方式进行了结构优化,得到掺硼碳纳米管最可能的存在结构.采用密度泛函理论下的第一性原理计算,对不同掺杂浓度的最可能存在掺杂结构进行了计算,结果表明随着掺杂浓度的增加碳纳米管的能带间隙呈现增大的趋势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂	宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安电子科技大学微电子学院	32	202	6.0	13.0
2	石立春	宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安电子科技大学微电子学院	4	53	4.0	4.0
3	宋久旭	宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安电子科技大学微电子学院	1	5	1.0	1.0
4	刘红霞	宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安电子科技大学微电子学院	1	5	1.0	1.0