Ce4+离子在Ca2SnO4+一维结构基质中的电荷迁移光谱研究

• 作者: 张汉焱 柴飞 符史流 陈洁
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ca2-ySrySn1-xCexO4 一维结构 电荷迁移光谱
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 3254-3259
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 4231字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.05.100

摘要

利用高温固相反应法制备了Ca2Sn1-xCexO4和ca2-ySrySn1-xCexO4一维结构发光体.XPS结果显示Ca2SnO4拥有两种结合能分别为527.7eV和529.3eV的晶格O2-离子,前者对应于SnO6八面体终端上的O2-离子,而后者属于八面体平面上的O2-离子.Ca2Sn1-xCexO4和Sr2CeO4一维结构发光体的发光来源于Ce4+O2-的电荷迁移跃迁,通常认为O2-与Ce4+离子之间的电荷迁移激发在紫外波段存在着两个激发峰.Sr2+离子掺杂的Ca2Sn1-xCexO4样品的光谱测量结果显示Ca2Sn1-xCexO4在紫外波段实际上存在着三个激发峰.Ca2Sn1-xCexO4样品的三个激发峰分别位于31000cm-1,34500cm-1和37400cm-1附近.在Ca2Sn1-xCexO4的Ca2+格位上掺杂Sr2+离子,三个激发峰明显显露,且分别蓝移至31200cm-1,34700cm-1和38400cm-1左右;然而,样品发射光谱的形状保持不变.Sr2CeO4激发光谱也可以用三个高斯峰拟合,其峰值分别位于29300cm-1,33400cm-1和37000cm-1附近.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	符史流	汕头大学物理系	16	133	7.0	11.0
2	陈洁	汕头大学物理系	17	56	3.0	7.0
3	柴飞	汕头大学物理系	5	53	4.0	5.0
4	张汉焱	汕头大学物理系	4	33	3.0	4.0