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Ce:YVO4晶体的生长及其电荷迁移发光
Ce:YVO4晶体的生长及其电荷迁移发光
作者:
吴周礼
王友发
王帅
童红双
阮永丰
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
Ce3+∶YVO4晶体
提拉法
发射光谱
电荷迁移态
摘要:
为探索新型的白光LED荧光粉材料,采用提拉法生长了Ce2( CO3)3掺杂的Ce3+∶YVO4晶体,并对生长晶体的结构和光谱性能进行了表征.通过XRD测试,确定了由提拉法生长的Ce3+∶YVO4晶体的晶相没有发生变化.Ce3+∶YVO4晶体在450 nm处有一个较宽的发射带,在620 nm处有一个明显的发射峰.分析表明,在Ce3+掺杂的YVO4晶体中,铈离子主要以三价离子的形式存在,但在激发光照射下出现的620 nm发射表明有Ce4+存在,并且Ce4+与配位O2-形成了电荷迁移态(CTS).
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文献信息
篇名
Ce:YVO4晶体的生长及其电荷迁移发光
来源期刊
人工晶体学报
学科
物理学
关键词
Ce3+∶YVO4晶体
提拉法
发射光谱
电荷迁移态
年,卷(期)
2012,(1)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
6-10
页数
分类号
O78
字数
3320字
语种
中文
DOI
五维指标
作者信息
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姓名
单位
发文数
被引次数
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G指数
1
阮永丰
天津大学理学院
57
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11.0
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2
王帅
天津大学理学院
35
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吴周礼
天津大学理学院
7
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王友发
天津大学理学院
9
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节点文献
Ce3+∶YVO4晶体
提拉法
发射光谱
电荷迁移态
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
人工晶体学报
主办单位:
中材人工晶体研究院有限公司
出版周期:
月刊
ISSN:
1000-985X
CN:
11-2637/O7
开本:
16开
出版地:
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
邮发代号:
创刊时间:
1972
语种:
chi
出版文献量(篇)
7423
总下载数(次)
16
总被引数(次)
38029
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人工晶体学报2012年第6期
人工晶体学报2012年第5期
人工晶体学报2012年第4期
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