用激光偏振干涉技术测量KDP晶体柱面生长速度

• 作者: 刘冰 孙绍涛 房昌水 牟晓明 王圣来
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 物理学
• 关键词: KDP 动力学 死区 生长速度 杂质 干涉
• 年，卷（期）: 2008,（8）
• 所属期刊栏目: ICF与激光等离子体
• 页码范围: 1283-1287
• 页数: 5页
• 分类号: O795
• 字数: 2717字
• 语种: 中文

摘要

采用激光偏振干涉技术实现了KDP晶体柱面生长速度的实时测量,精度可达0.01μm/min.研究了不同的过饱和度控制方式对柱面死区实时测量的影响.发现晶体双折射率随温度的变化是导致光强.时间曲线中死区直线斜率不为零的原因.认为晶体生长速度与杂质离子的吸附时间有关.研究了杂质离子含量不同的两种原料在不同的溶液饱和点下的柱面生长速度和死区随过饱和度的变化关系,结合C-V模型和K-M理论讨论了其中的动力学规律.讨论了晶体光学质量与生长过饱和度的关系,认为利用激光偏振干涉系统进行溶液鉴定,将传统降温法的过饱和度控制在死区范围内和将点籽晶快速生长技术的过饱和度控制在线性区是保证晶体光学质量的关键.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙绍涛	山东大学晶体材料国家重点实验室	9	13	3.0	3.0
2	牟晓明	山东大学晶体材料国家重点实验室	18	89	5.0	9.0
3	房昌水	山东大学晶体材料国家重点实验室	53	430	13.0	19.0
4	刘冰	山东大学晶体材料国家重点实验室	130	644	15.0	21.0
5	王圣来	山东大学晶体材料国家重点实验室	43	448	12.0	18.0