基于有限元法的激光横向刻蚀路径对片阻阻值影响的研究

• 作者: 汤建华 王志娟 郑玉彤 闫晓东
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 激光调阻 调阻精度 横向刻蚀长度 横向起刻位置 有限元法
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 固体电子器件及电路
• 页码范围: 791-794,799
• 页数: 5页
• 分类号: TN2
• 字数: 2864字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2008.03.013

摘要

应用激光对片阻阻值进行修调时,垂直于电流方向的横向刻蚀对片阻的阻值影响较大,合理设计横向刻蚀的起刻位置和刻蚀长度能够以较低成本提高激光调阻精度及调阻效率.应用有限元法可得激光横向刻蚀长度和横向起刻位置对片阻阻值影响的定性、定量结论.经实验验证:应用有限元法得到的横向刻蚀路径对阻值影响的定性结论与实验结论一致、定量结论的计算偏差不大于2%,能够为提高调阻精度和调阻效率提供控制依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	汤建华	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	19	154	6.0	12.0
2	郑玉彤	中央民族大学信息工程学院	12	47	4.0	6.0
3	王志娟	中央民族大学信息工程学院	9	37	3.0	6.0
4	闫晓东	中央民族大学信息工程学院	11	38	3.0	6.0