基于ARM7TDMI的TLB组织结构及存储保护设计

• 作者: 刘新宁 张启晨 张萌 洪俊峰
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: TLB 存储管理 存储保护 ARM7TDMI
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 有关处理方法设计等
• 页码范围: 705-708
• 页数: 4页
• 分类号: TP332
• 字数: 3583字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2008.02.082

摘要

基于ARM7TMDI嵌入式处理器内核设计了一种兼容ARM720T存储管理机制的转换后备缓冲器(TLB)组织结构,建立了TLB的Verilog仿真模型,设计了相对应的存储保护模块.该TLB采用64页表项全关联结构,同时支持多种页转换方式和页表项命中控制,并且通过复用设计节省了硬件资源.通过整合TLB、存储保护模块和ARM7TMDI的仿真模型,采用VCS仿真软件进行仿真验证,结果证实了设计的有效性和正确性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘新宁	东南大学国家专用集成电路系统工程研究中心	27	264	7.0	15.0
2	张萌	东南大学国家专用集成电路系统工程研究中心	57	299	8.0	14.0
3	张启晨	东南大学国家专用集成电路系统工程研究中心	4	7	2.0	2.0
4	洪俊峰	东南大学国家专用集成电路系统工程研究中心	2	1	1.0	1.0