一种应用于可编程模拟电路的EEPROM单元

• 作者: 刘文平 唐威 张关保
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 单层多晶EEPROM 浮栅 FN隧道 附加栅
• 年，卷（期）: 2008,（11）
• 页码范围: 105-108
• 页数: 4页
• 分类号: TN303
• 语种: 中文

摘要

为改善传统EEPROM在可编程模拟电路应用中的不足,提出了一种新型的单层多晶EEPROM单元结构,与常见的单层多晶EEPROM结构相比,该结构采用双N阱、附加栅结构实现,与标准数字CMOS工艺兼容,具有写入电流控制准确、阈值电压低的特点.通过对器件的分析及仿真,验证了该结构在模拟电路应用中的有效性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘文平		17	71	5.0	7.0
2	唐威		25	90	6.0	8.0
3	张关保		1	1	1.0	1.0