面向低压高频开关应用的功率JFET的功耗

• 来源期刊: 电工技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 槽栅MOSFET 槽栅双极模式JFET 栅漏电容 埋氧化物 功耗
• 年，卷（期）: 2009,（8）
• 所属期刊栏目: 电力电子
• 页码范围: 106-110
• 页数: 5页
• 分类号: TM386
• 字数: 2264字
• 语种: 中文

摘要

提出了一种埋氧化物槽栅双极模式功率JFET(BTB-JFET),其面向低压高频开关应用.首次通过仿真对BTB-JFET、常规的槽栅双极模式JFET(TB-JFET)和槽栅MOSFET(T-MOSFET)等20V级的功率开关器件在高频应用时的功率损耗进行了比较.仿真中借鉴现有的高性能T-MOSFET的结构尺寸,并采用了感性负载电路对器件进行静态以及混合模式的电特性仿真,结果表明,常开型BTB-JFET与TB-JFET相比,零偏压时栅漏电容CGD减小25%;当工作频率为1MHz和2MHz时常开型TB-JFET与T-MOSFET相比总功耗分别降低了14%和19%,而常开型BTB-JFET较TB-JFET的总功耗又进一步降低了6%.仿真结果还表明,在不同工作频率下,常闭型JFET的性能都不如T-MOSFET.样管初步测试结果证明,常开型BTB-JFET与TB-JFET相比,零偏压时栅漏电容CGD减小45%,与仿真结果相一致.