SiO2包覆纳米SiC的制备及表征

• 作者: 刘伟 刘连利 杨安平 王莉丽
• 来源期刊: 中国材料科技与设备
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 正硅酸乙酯 表面改性
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 页码范围: 17-19
• 页数: 3页
• 分类号: TB35

摘要

采用正硅酸乙酯水解法在SiC表面包覆SiO2，并通过实验探讨了TEOS用量、总体系CTEOS等因素对包覆效果影响。实验确定了制备包覆粒子的优化工艺条件：SiC／TEOS的最佳物质量比值为5：1，最佳总体系CTEOS为0．2mol／L。采用ZETA、IR、XRD等测试手段对SiO2改性的碳化硅粉体进行了表征。沉降实验表明：碳化硅表面改性后，在硅溶胶中浆料的稳定悬浮性提高。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘连利	渤海大学科技实验中心	78	417	12.0	18.0
2	王莉丽	渤海大学科技实验中心	29	150	6.0	11.0
3	刘伟	渤海大学科技实验中心	22	84	6.0	8.0
4	杨安平	渤海大学科技实验中心	1	0	0.0	0.0