膜去溶-ICP-MS测定高纯CeO2中14种痕量稀土杂质分析方法研究

• 作者: 伍星 童坚 韩国军
• 来源期刊: 中国稀土学报
• 学科: 化学
• 关键词: 高纯CeO2 膜去溶 数学校正 ICP-MS 多原子离子干扰 稀土
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 137-144
• 页数: 8页
• 分类号: O657.63
• 字数: 5159字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-4343.2009.01.025

摘要

研究了不经基体分离, 膜去溶-ICP-MS法直接测定高纯CeO2中14种痕量稀土杂质的分析方法, 讨论了Ce基体产生的多原子离子对被测元素的质谱干扰, 并且对影响多原子离子产率的因素进行了分析, 同时建立了Pr, Gd, Tb和Yb数学校正方程. 通过使用膜去溶雾化器和优化ICP-MS参数, 消除了CeH+, CeO2+和CeO2H+产生的质谱干扰, 将CeO/Ce产率降为0.008%, 同时结合数学校正方程彻底消除了CeO+, CeOH+和CeOH2+的质谱干扰. Pr, Gd, Tb和Yb的方法测定下限分别为0.08, 0.1, 0.15和0.008 μg · g-1, 14种稀土杂质方法测定下限和为0.75 μg · g-1. 99.999%高纯CeO2实际样品测定加标回收率为96%～103%, RSD为 1.2%～4.3%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩国军		2	19	2.0	2.0
2	伍星		16	171	8.0	12.0
3	童坚		31	180	8.0	10.0