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摘要:
利用射频磁控溅射法在玻璃基片上制备Bi/Bi2O3晶格复合热电薄膜,考察了溅射功率对单层Bi薄膜表面粗糙度和热电性能的影响,结果表明,当溅射功率为22W时,薄膜具有最小的表面粗糙度16.3 nm,电导率和功率因子分别为2.9×104 S/m和5.74 μV/km2,单层Bj薄膜最佳的工作温度为85~105℃.Bi/Bi2O3晶格复合热电薄膜最佳的溅射层数为5层,其电导率和功率因子分别为9.0×104 S/m和21.0 μV/k2m,分别比单层Bi薄膜提高了2.1倍和2.65倍.
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关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 Bi/Bi2O<em>3</em>晶格复合热电薄膜的制备及其性能研究
来源期刊 纳米科技 学科 工学
关键词 热电材料 射频磁控溅射 薄膜 晶格复合结构
年,卷(期) 2009,(5) 所属期刊栏目 纳米加工工艺
研究方向 页码范围 45-49
页数 5页 分类号 TB34
字数 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 涂善东 华东理工大学机械与动力工程学院 224 2191 25.0 36.0
2 栾伟玲 华东理工大学机械与动力工程学院 29 395 7.0 19.0
3 尹程程 华东理工大学机械与动力工程学院 1 0 0.0 0.0
4 王迪 华东理工大学机械与动力工程学院 1 0 0.0 0.0
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