低阴极沉积电位对铝合金表面硅烷膜层的影响

• 作者: 何德良 周舟 崔正丹 徐以兵 曾丽萍 许超 钟建芳
• 来源期刊: 中国腐蚀与防护学报
• 学科: 工学
• 关键词: 铝合金 硅烷膜 低电位 表面活性剂 双-1,2-[γ(三乙氧基)硅丙基]四硫化物
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 220-224
• 页数: 5页
• 分类号: TG178
• 字数: 2594字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-4537.2009.03.012

摘要

在低阴极沉积电位条件下,使用表面活性剂改性硅烷溶液,实现了双-1,2-[γ(三乙氧基)硅丙基]四硫化物(BTSPS)在铝合金电极表面的电化学沉积,新的临界沉积电位(NCCP)约为-1.6 V.研究表明,在低阴极沉积电位下铝合金表面能得到更厚、更致密的硅烷膜层,并且在改性后溶液中制备的膜层具有较高的极化阻力.表面活性剂的加入可以降低沉积时析氢的影响,提高硅烷沉积性能.临界沉积电位的降低,使得硅烷覆盖的铝合金电极比临界沉积电位(-0.8 V)下的电极具有更好的抗腐蚀性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	崔正丹	湖南大学化学生物传感与计量学国家重点实验室	3	13	2.0	3.0
2	何德良	湖南大学化学生物传感与计量学国家重点实验室	29	240	9.0	14.0
3	许超	湖南大学化学生物传感与计量学国家重点实验室	3	7	1.0	2.0
4	周舟	湖南大学化学生物传感与计量学国家重点实验室	10	53	5.0	7.0
5	徐以兵	湖南大学化学生物传感与计量学国家重点实验室	3	22	3.0	3.0
6	钟建芳	湖南大学化学生物传感与计量学国家重点实验室	2	15	2.0	2.0