地塞米松对过氧化氢体外氧化杀伤烟曲霉的影响

• 作者: 万喆 刘伟 李丽娟 李若瑜 王晓红 许辉 陈伟
• 来源期刊: 中国真菌学杂志
• 学科: 医学
• 关键词: 烟曲霉 地塞米松 氧化杀伤
• 年，卷（期）: 2009,（6）
• 所属期刊栏目: 论著
• 页码范围: 334-337
• 页数: 4页
• 分类号: R977.11
• 字数: 2855字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-3827.2009.06.004

摘要

目的 研究地塞米松对过氧化氢(H2O2)体外杀伤烟曲霉(Aspergillus fumigatus,A.fumigatus)的影响.方法 用不同浓度的地塞米松(0 mg/mL,0.02 mg/mL,0.2 mg/mL)处理烟曲霉孢子,按照处理时间不同分为A(0.5 h),B(2 h),C(7 h),D(16 h)4组.用测定H2O2杀伤真菌的标准方法--斑点法分别测定各组烟曲霉孢子对H2O2的氧化杀伤敏感性.结果 在H2O2浓度为1.5 mmol/L下,未用地寨米松处理的孢子(阴性对照)氧化杀伤敏感性为5×101(生长良好).A(0.5 h)组:地塞米松0.02 mg/mL处理后孢子的氧化杀伤敏感性为5×103;地塞米松0.2 mg/mL处理后孢子的氧化杀伤敏感性为5×104.B(2 h)组:地塞米松0.02 mg/mL和0.2 mg/mL处理后孢子的氧化杀伤敏感性均为5×103.C(7 h)和D(16 h)组:不同浓度地塞米松处理后氧化杀伤敏感性与阴性对照没有差别(均为5×101).结论 地塞米松使H2O2在体外杀伤烟曲霉的能力增强,这种作用仅发生在地塞米松接触烟曲霉孢子的早期(＜2 h).