储锂硅材料的ESR谱研究

• 作者: 刘小波 周晓荣 庄林 陆君涛
• 来源期刊: 波谱学杂志
• 学科: 化学
• 关键词: 电子自旋共振(ESR) 电化学 硅 储锂硅
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 223-229
• 页数: 7页
• 分类号: O646|O657.61
• 字数: 3120字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-4556.2009.02.007

摘要

采用了电化学方法制备储锂硅材料,并用电子自旋共振(ESR)方法进行研究.实验结果表明,储锂前的硅ESR行为符合居里自旋的ESR特征,ESR信号主要来源于硅材料中的晶格缺陷、表面悬空键等局域化自旋中心.储锂后硅材料中产生了泡利自旋,居里自旋的强度比储锂前增大2～3倍.此外,对硅和储锂硅ESR谱线的g因子和ΔHpp随温度的变化情况也进行了分析.硅材料电化学储锂时,与锂离子中和的电子主要参与形成Li-Si共价键,对ESR信号贡献很小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周晓荣	武汉工业学院化学与环境工程系	13	33	3.0	4.0
2	刘小波	武汉工业学院化学与环境工程系	3	4	2.0	2.0
3	庄林	武汉大学化学与分子科学学院	46	139	5.0	10.0
4	陆君涛	武汉大学化学与分子科学学院	20	111	5.0	10.0