篇名 | Formation and Evolution of Vacancy-type Defects in Ar-implanted Si Studied by Slow-positron Annihilation Spectroscopy | ||
来源期刊 | 近代物理研究所和兰州重离子加速器实验室年报:英文版 | 学科 | 工学 |
关键词 | 氩离子注入 空位型缺陷 正电子湮没谱 缺陷演化 离子注入剂量 电子束能量 医学教育 硅晶片 | ||
年,卷(期) | 2009,(1) | 所属期刊栏目 | |
研究方向 | 页码范围 | 96-97 | |
页数 | 2页 | 分类号 | TN304.23 |
字数 | 语种 | 中文 | |
DOI |