Y_2O_3掺杂ZnO-Bi_2O_3压敏瓷的显微组织和电性能

• 作者: 巫欣欣 徐东 施利毅 钟庆东
• 来源期刊: 高电压技术
• 学科: 工学
• 关键词: 压敏电阻 氧化锌 氧化钇 电性能 显微组织 烧结
• 年，卷（期）: 2009,（10）
• 所属期刊栏目: 过电压与绝缘
• 页码范围: 2366-2370
• 页数: 5页
• 分类号: TB34|TN304.93
• 字数: 2093字
• 语种: 中文

摘要

为了提高氧化锌压敏瓷的综合电性能,采用高能球磨制备Y_2O_3掺杂ZnO压敏瓷,通过扫描电镜和X射线衍射对其显微组织和相成分进行了分析,探讨了Y_2O_3对氧化锌压敏瓷电性能和显微组织影响机理.结果表明,Y_2O_3掺杂摩尔分数在0～1.00%时,压敏瓷的电位梯度为332～597 V/mm,非线性系数为23.6～40.1,漏电流为0.06～0.90μA.当Y_2O_3掺杂摩尔分数为0.60%时氧化锌压敏瓷的综合电性能最好,压敏瓷电位梯度为482 V/mm,非线性系数为35,漏电流为0.17μA.掺杂Y_2O_3使压敏瓷晶粒细化是由于Y_2O_3或者单独以Y_2O_3氧化物形式存在,钉扎在晶界,阻碍晶粒长大;或者与Bi_2O_3固溶形成含Y的富铋相,使Bi_2O_3促进晶粒生长的作用受到抑制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	施利毅	上海大学纳米科学与技术研究中心	226	3075	30.0	40.0
2	徐东	上海大学纳米科学与技术研究中心	16	80	5.0	8.0
6	钟庆东	上海大学纳米科学与技术研究中心	50	259	9.0	12.0
7	巫欣欣	上海大学理学院	6	29	3.0	5.0