新型金属氧化物薄膜气敏元件基材料的开发

• 作者: 侯秀萍 张礼 张颖欣 田芳 裘南畹
• 来源期刊: 山东大学学报（工学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 金属氧化物 薄膜气敏元件 基材料
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: 材料科学与工程
• 页码范围: 104-107
• 页数: 4页
• 分类号: TF123
• 语种: 中文

摘要

根据电导气敏机理的氧负离子理论,提出制备n型金属氧化物气敏基材料的理论,指出禁带宽度E_g＞2 eV的金属氧化物材料都有可能研制薄膜气敏元件,并通过Fe_2O_3/1%Sb2O3和TiO_2薄膜元件的制备和表征,论证了该理论的正确性.