808 nm高占空比大功率半导体激光器阵列

• 作者: 刘云 张星 李再金 王烨 王祥鹏 王立军 秦莉 胡黎明
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体激光器 大功率 高占空比 激光器阵列
• 年，卷（期）: 2009,（11）
• 所属期刊栏目: 高功率激光与光学
• 页码范围: 1615-1618
• 页数: 4页
• 分类号: TN365
• 字数: 2900字
• 语种: 中文

摘要

采用渐变折射率分别限制单量子阱宽波导结构,通过降低非辐射复合、有源层载流子泄露、散射和吸收损耗来提高出射效率和降低激光阈值电流,从而提高半导体激光器阵列的输出功率;同时使P面具有更高的粒子掺杂数密度,优化N面合金条件,降低半导体激光器的串联电阻,降低焦耳热,提高了半导体激光器阵列的转换效率.利用金属有机化学气相淀积技术生长GaInAsP/InGaP/AlGaAs渐变折射率分别限制单量子阱宽波导结构激光器材料,利用该材料制成半导体激光线阵列在20%高占空比的输入电流下,半导体激光器的输出峰值功率达到189.64 W(180 A),斜率效率为1.1 W/A,中心波长为805.0 nm,阈值电流为7.6 A,电光转换效率最高可达55.4%;在1%占空比的输入电流下,阵列的输出峰值功率可达324.9 W(300 A),斜率效率为1.11 W/A,阈值电流为7.8 A,电光转化效率最高达55.6%,中心波长为804.5 nm.