一种改进的高精度低功耗过温保护电路

• 作者: 吴俊 李思臻 杨诗洋 洪毅 邹雪城 鲁力
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 过温保护 高精度 迟滞 BCD工艺
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 页码范围: 103-106
• 页数: 4页
• 分类号: TN43
• 语种: 中文

摘要

为了防止芯片过热,提高芯片可靠性和稳定性,文中提出一种改进的高精度、低功耗,具有迟滞功能,结构简单的过温保护电路.基于JAZZ BCD 0.5μm工艺库模型,采用Cadence的Spectre仿真器进行模拟验证,结果表明:当温度超过140℃时,电路输出信号发生翻转,控制芯片停止工作;当温度降至118℃时,恢复芯片工作.在电源电压VDD工作范围2.9～6V内,过温保护阚值变化量为0.275℃,迟滞阚值变化量为0.225℃.典型工作状态下,电路的静态电流为46μA.因此该电路适用于各种电源管理芯片.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邹雪城	华中科技大学超大规模集成电路与系统实验室	310	2261	21.0	31.0
3	鲁力	华中科技大学超大规模集成电路与系统实验室	7	63	4.0	7.0
6	李思臻	华中科技大学超大规模集成电路与系统实验室	4	34	3.0	4.0
7	杨诗洋	华中科技大学超大规模集成电路与系统实验室	4	69	3.0	4.0
8	吴俊		1	24	1.0	1.0