基于SOI的蓝紫光探测器的设计

• 作者: 孟凡涛 褚金奎 郭庆 韩志涛
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 光电探测器 SOl硅片 光谱响应 醴瓷淠い
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 所属期刊栏目: 光电器件
• 页码范围: 656-659
• 页数: 4页
• 分类号: TN366
• 语种: 中文

摘要

针对仿生微纳导航传感器对380～520nm波长的探测要求,从Lambert定理出发,设计了一种蓝紫光探测器,并对器件的结构和工艺进行了优化分析.利用SOI硅片上薄的单晶硅层,实现了较高的蓝紫光响应度,同时抑制了可见光中的长波和近红外光的响应度.当SOI硅片的器件层厚度为3μm时,450nm波长的响应度为0.348 A/W,900nm波长的响应度为0.054 A/W.数值计算和理论分析表明,设计的器件是一种高性能的蓝紫光敏感光电探测器.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	褚金奎	大连理工大学辽宁省微纳米技术及系统重点实验室	119	1260	20.0	30.0
5	韩志涛	大连理工大学辽宁省微纳米技术及系统重点实验室	3	44	2.0	3.0
9	孟凡涛	大连理工大学辽宁省微纳米技术及系统重点实验室	5	100	4.0	5.0