高纯钛制备过程中杂质Si的行为分析

• 作者: 唐晓宁 徐开鑫 甘蔓 薛安 韩涛
• 来源期刊: 贵州大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: Si 热力学 高纯钛 杂质
• 年，卷（期）: 2009,（4）
• 所属期刊栏目: 工程技术科学研究及应用
• 页码范围: 66-68
• 页数: 3页
• 分类号: TF823
• 字数: 2198字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-5269.2009.04.019

摘要

对卤化法制备高纯钛过程中杂质Si的行为进行了热力学分析.在实验控制的条件下,杂质Si在卤化源区可以生成SiI2和SiI4,以SiI4的形式在沉积区分解,从而进入高纯钛中.通过分析得出了抑制SiI4生成的温度控制范围.实验发现,在控制卤化源区温度773.15-973.15 K,沉积区温度1373.15-1473.15 K的条件下,可以较好地抑制Si的污染.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐晓宁	贵州大学材料科学与冶金工程学院	19	85	4.0	9.0
2	韩涛	贵州大学材料科学与冶金工程学院	17	74	4.0	8.0
3	薛安	贵州大学材料科学与冶金工程学院	6	68	4.0	6.0