单壁碳纳米管的轴向能带工程

• 作者: 刘忠范 现晓军
• 来源期刊: 中国科学B辑
• 关键词: 碳纳米管 CVD CMOS器件 轴向能带工程 纳米转移印刷技术
• 年，卷（期）: 2009,（10）
• 所属期刊栏目: 专题论述
• 页码范围: 1069-1088
• 页数: 20页
• 语种: 中文

摘要

单壁碳纳米管具有优异的电子学特性,是制备新一代高性能集成电路的重要材料.碳纳米管芯片之路存在诸多挑战,包括直径和手性的控制生长方法、金属性和半导体性单壁碳纳米管的分离方法、器件加工与集成方法等.这些课题从本质上讲大多属于化学问题,因此碳纳米管芯片研究为化学家们提供了新的机遇与挑战.过去10年来,我们围绕单壁碳纳米管的轴向能带工程这一研究思路,开展了一系列碳纳米管芯片的基础探索工作,发展了若干有效的单壁碳纳米管局域能带的调控方法,包括温度阶跃生长法、脉冲供料生长法、基底调控法以及形变调控法等.本文系统地阐述了这些局域能带调控方法,为使读者对该领域的研究进展有一个较为全面的了解,文中对其他课题组开展的代表性工作也给予了综述性介绍.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘忠范		109	731	13.0	25.0
2	现晓军		1	0	0.0	0.0