热蒸发法制备Zn1-x Cdx O纳米管及其生长机制研究

• 作者: 刘勃 原思聪 张顾钟 王发展 赵超
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 化学
• 关键词: Zn1-xCdxO 纳米管 制备 生长过程
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 998-1002
• 页数: 5页
• 分类号: O649
• 字数: 3363字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3724/SP.J.1077.2009.00998

摘要

采用热蒸发纯Zn粉和Cd粉,在湿反应气氛中氧化制备得到掺Cd的ZnO纳米管,其Cd含量为3.3at%. 场发射扫描电镜(FESEM)及高分辨透射电镜(HRTEM)分析表明,大部分纳米管外径约80～150nm,长度达数微米,壁厚约20nm. 通过与相同条件下制备的ZnO纳米结构的室温光致发光谱(PL) 进行对比发现,由于Cd的掺入,Zn1-xCdxO纳米管的紫外近带边峰(UV NBE)从3.26eV红移到3.20eV附近.分析认为,Zn1-xCdxO纳米管遵循气液固(VLS)生长机制,并在此基础上提出Zn1-xCdxO纳米管生长过程,同时指出Kirkendall效应可能对纳米管的形成起到了重要作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	原思聪	西安建筑科技大学机电工程学院	156	1259	17.0	27.0
2	王发展	西安建筑科技大学机电工程学院	66	416	11.0	16.0
3	刘勃	西安建筑科技大学材料科学与工程学院	7	18	3.0	4.0
4	张顾钟	西安建筑科技大学机电工程学院	10	83	5.0	9.0
5	赵超	西安建筑科技大学材料科学与工程学院	15	13	2.0	3.0