C32富勒烯分子器件的电子结构和传输特性研究

• 作者: Terence K S W 王利光 霍新霞
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: C32分子器件 非平衡格林函数 密度泛函理论 电子传输 电子结构
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 所属期刊栏目: 原子、分子与团族物理
• 页码范围: 50-56
• 页数: 7页
• 分类号: O561
• 字数: 3541字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2009.01.009

摘要

利用基于第一性原理的密度泛函理论(DFT)和非平衡格林函数(NEGF)方法对富勒烯C32分子及在C32的距离最远的两个碳原子处外接Li电极的C32分子器件进行了电子结构、电子传输性质的研究.设计了C32笼内嵌入Mg原子,外接Li电极的分子器件.通过计算,得出了两个分子器件的电子传输谱,分析了它们的电子结构和电子输运特性.说明了C32分子器件的电子传输主要集中于C32分子的壳表上,并且分子球的内侧和外侧的电子传输相近似.在C32分子内部嵌入Mg原子后,分子器件的电子传输仍主要集中在分子表面上,但在系统Mg@C32中,表面内侧的电子传输要比表面外侧的电子传输强.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王利光	江南大学理学院	75	142	6.0	7.0
2	霍新霞	江南大学理学院	22	46	4.0	6.0
3	Terence K S W	新加坡南洋理工大学电气与电子工程学院	15	28	3.0	4.0