Sm填充型方钴矿化合物的高温高压合成及电输运特性研究

• 作者: 姜一平 宿太超 董楠 贾晓鹏 邓乐 马红安
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Sm 方钴矿 高温高压 热电材料
• 年，卷（期）: 2009,（4）
• 所属期刊栏目: 高压物理与高压合成
• 页码范围: 725-728
• 页数: 4页
• 分类号: O521.2
• 字数: 2173字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2009.04.028

摘要

利用高温高压方法在2 ～ 5.0 Gpa和900 K的合成条件下成功合成出系列立方相Sm填充型方钴矿化合物SmxCo4Sb12 ( x= 0.2, 0.6, 0.8 ) 体热电材料,并系统地研究了合成压力及不同的Sm填充分数对其室温下的电输运特性(电阻率、Seebeck系数、功率因子)的影响. 研究结果表明, Sm填充型方钴矿化合物SmxCo4Sb12为n型半导体. 在不同压力下,随着Sm填充分数的增加,Seebeck系数的绝对值和电阻率均呈现降低趋势. 在2 Gpa,900 K条件下合成的Sm0.8Co4Sb12化合物功率因子达到最大值5.88 μW /( cm·K2).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马红安	吉林大学超硬材料国家重点实验室	122	381	8.0	12.0
2	贾晓鹏	吉林大学超硬材料国家重点实验室	121	431	9.0	13.0
3	姜一平	吉林大学超硬材料国家重点实验室	7	28	3.0	5.0
5	宿太超	吉林大学超硬材料国家重点实验室	10	27	3.0	4.0
8	董楠	吉林大学超硬材料国家重点实验室	6	13	2.0	3.0
9	邓乐	吉林大学超硬材料国家重点实验室	15	123	7.0	11.0