Ga填充n型方钴矿化合物的结构及热电性能

• 作者: 唐新峰 李涵 苏贤礼 邓书康
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 化学
• 关键词: skutterudite化合物 Ga原子填充 结构 热电性能
• 年，卷（期）: 2008,（10）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 6488-6493
• 页数: 6页
• 分类号: O6|O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.10.067

摘要

用熔融退火结合放电等离子烧结(SPS)技术制备了具有不同Ga填充含量的GaxCo4Sb12方钴矿化合物,研究了不同Ga含量对其热电传输特性的影响规律.Rietveld结构解析表明,Ga占据晶体学2a空洞位置,Ga填充上限约为0.22,当Ga的名义组成x≤0.25时,样品的电导率、室温载流子浓度Np随Ga含量的增加而增加,Seebeck系数随Ga含量的增加而减小.室温下霍尔测试表明,每一个Ga授予框架0.9个电子,比Ga的氧化价态Ga3+小得多.由于Ga离子半径相对较小,致使Ga填充方钴矿化合物的热导率k及晶格热导率kL较其他元素填充的方钴矿化合物低.当x=0.22时对应的样品在300 K时的热导率和晶格热导率分别为3.05 Wm-1·K-1和2.86 Wm-1·K-1.在600 K下Ga0.22Co4.0Sb12.0样品晶格热导率达到最小,为1.83 Wm-1·K-1,最大热电优值Z,在560K处达1.31×10-3 K-1.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐新峰	武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室	78	440	12.0	18.0
2	邓书康	武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室	8	31	3.0	5.0
3	李涵	武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室	20	73	5.0	7.0
4	苏贤礼	武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室	14	45	4.0	6.0